Intel готова к массовому производству памяти MRAM

EETimes сообщает, что Intel готова начать массовое производство магниторезистивной оперативной памяти с передачей крутящего момента. Для производства оперативной памяти нового типа процессор-гигант адаптировал свой 22-нанометровый процесс FinFET и намеревается интегрировать ячейки MRAM в различные устройства, включая продукты из концепции Интернета вещей.

Память STT-MRAM — один из самых многообещающих кандидатов на замену традиционным DRAM и NAND RAM. Он сочетает в себе энергонезависимость, высокую скорость чтения и записи данных и огромный ресурс. По словам экспертов Intel, которые представили отчет по этой теме на мероприятии ISSCC 2019, ячейки MRAM могут хранить информацию до 10 лет при температурах до 200 градусов Цельсия и выдерживают более миллиона циклов перезаписи.

Еще одно преимущество памяти MRAM заключается в том, что Intel добилась чрезвычайно низких значений брака. При использовании 22-нанометрового процесса производство качественных ячеек MRAM составляет более 99,9%. Технические аналитики считают, что Intel использует больше технологий при производстве новой памяти, чем в своих 14-нм полупроводниковых продуктах.

Во время конференции ISSCC 2019 процессор-гигант показал первые образцы новой памяти, в которых скорость обмена информацией зависит от напряжения питания.