Новая технология производства полевых транзисторов CNFET из углеродных нанотрубок

Полевые транзисторы из углеродных нанотрубок обладают значительно более высокой энергоэффективностью, чем кремниевые транзисторы, и могут использоваться для создания трехмерных процессоров нового типа. Но пока эти транзисторы производятся в очень небольших количествах в лабораториях. Американские эксперты опубликовали научную статью, в которой описан процесс производства полевых транзисторов CNFET из углеродных нанотрубок в больших количествах с использованием стандартных 200-миллиметровых контактных площадок, которые являются отраслевым стандартом для производства микросхем.

В отличие от кремниевых транзисторов, которые производятся при температуре около 400-500 градусов Цельсия, полевые транзисторы на нанотрубках (CNFET) могут изготавливаться почти при комнатной температуре. Это означает, что чипы можно легко наносить слой за слоем и, таким образом, создавать трехмерные чипы. С кремнием этого сделать нельзя, так как нижние слои расплавятся. Эксперты считают, что можно построить 3D-чип, включающий как логику процессора, так и память. Такой чип будет на порядки быстрее обычных двумерных SoC.

Ученые Массачусетского технологического института модифицировали один из самых эффективных методов создания CNFET. Это метод инкубации, при котором субстрат погружается в ванну с нанотрубками, и этот подход идеально подходит для массового производства. Одна из новых используемых технологий — сухой цикл — метод многократного погружения и сушки, сокращающий время инкубации с 48 часов до 150 секунд.

Новая технология ускоряет производство транзисторов CNFET в 1100 (одну тысячу сто) раз. Работа над созданием совершенно нового типа 3D-чипов продолжается,