Samsung обнаружила новый материал для полупроводниковых чипов | ВесьТоп создание и продвижение сайтов

Поддержка сайта

Высокие позиции в поисковой системе, на прямую зависят от развития вашего сайта.

Продвижение сайтов

Эффективность стратегий продвижения подтверждается сотрудничеством с крупными клиентами и отзывами о нашей работе.

Создание сайтов

Мы делаем сайты быстро, недорого и профессионально. От работы с нами, у вас останутся только положительные эмоции.

Samsung обнаружила новый материал для полупроводниковых чипов

Специалисты Samsung открыли новый материал для полупроводниковых чипов

Ученые Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT) вместе с коллегами из UNIST и Кембриджа объявили об открытии нового многообещающего материала — аморфного нитрида бора (a-BN). По мнению исследователей, это открытие ускорит появление полупроводниковых компонентов следующего поколения. Научная статья с результатами исследования опубликована в журнале Nature.

В последнее время лаборатория SAIT в основном занимается исследованиями и разработками двумерных (2D) кристаллических веществ, состоящих только из одного слоя атомов. Популярный графен, о котором уже давно ничего нового не слышно, как раз и является одним из таких материалов. Известно, что создан новый графеновый транзистор с относительно большой площадью.

Samsung обнаружила новый материал для полупроводниковых чипов

Новый материал называется «аморфный нитрид бора» (a-BN) и состоит из атомов бора и азота. Он образован из «белого графена» с гексагональной молекулярной структурой — атомы бора и азота образуют двумерную гексагональную решетку. В то же время a-BN имеет аморфную молекулярную структуру.

По данным Samsung, аморфный нитрид бора имеет самую низкую сверхнизкую диэлектрическую проницаемость 1,78 и отличается высокими электромеханическими свойствами. Его можно использовать как идеальный изолятор для промежуточных соединений в микросхемах.

Ученые продемонстрировали, что новый материал можно производить в виде пластин при относительно невысокой температуре 400 ° C. Ожидается, что аморфный нитрид бора будет широко использоваться в памяти DRAM и NAND, особенно в решениях для серверов следующего поколения.

Читайте так же:
Not found

Нам доверяют

Интернет магазин